Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới

27 Tháng Ba 20152:00 SA(Xem: 22802)
Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới
blank
Micron và Intel đã ra mắt công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D, được cho là :có mật độ lưu trữ cao nhất nhất thế giới”.

Theo đó, hai công ty đã tìm ra công nghệ mới, sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Kết quả đạt được là những con chip có dung lượng 256 GB - tương đương 32GB nếu dùng cấu trúc MLC; hoặc 384 GB - tương đương 48GB nếu dùng TLC.

blank
Khi đóng gói nhiều con chip mới vào trong một ổ SATA 2.5 inch thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10 TB, còn nếu là ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3.5 TB, cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện hành.

Được biết, chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể sẽ được trang bị cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện dòng chip nhớ mới đang được thử nghiệm nội bộ và quy trình sản xuất đại trà sẽ bắt đầu trong nửa sau năm 2015.

blank

Intel và Micron cũng hứa hẹn sẽ mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D. Chế độ ngủ mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc một số chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Đồng thời, những kỹ thuật mới cũng được áp dụng giúp giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với các thế hệ tiền nhiệm.

Các tính năng chính của sản phẩm thiết kế 3D NAND mới bao gồm:

  • Dung lượng lớn: lớn hơn gấp 3 lần so với công nghệ 3D hiện hành.
  • Giảm Chi phí cho mỗi GB - thế hệ 3D NAND đầu tiên được kiến trúc để đạt được hiệu quả chi phí tốt hơn so với NAND phẳng.
  • Nhanh: băng thông đọc/viết, tốc độ I/O và hiệu suất đọc ngẫu nhiên cao.
  • Tiết kiệm năng lượng - chế độ ngủ mới cho phép sử dụng điện năng thấp bằng cách cắt điện để vô hiệu NAND (ngay cả khi phần khác trong cùng một gói đang hoạt động), giúp giảm tiêu thụ điện năng đáng kể trong chế độ chờ.
  • Thông minh - tính năng mới được cải tiến giúp giảm độ trễ và tăng sức chịu đựng hơn thế hệ trước, đồng thời cũng làm cho việc tích hợp hệ thống dễ dàng hơn.
573Vote
44Vote
310Vote
27Vote
18Vote
4.2102
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
10 Tháng Tư 2019
Khoảng đầu tháng 04/2019, Samsung tiết lộ đã bắt đầu khai tử dòng Galaxy J và sẽ thay thế bằng dòng Galaxy A.
09 Tháng Tư 2019
Galaxy S10/S10+ sử dụng cảm biến vân tay siêu âm 3D trong màn hình, nó chắc chắn là an toàn và chính xác hơn nhiều so với loại cảm biến vân tay điện dung trong màn hình mà một số sản phẩm khác đang sử dụng. Tuy nhiên, S10 vẫn bị hack trong vòng 13 phút, vậy sự thật là thế nào?
09 Tháng Tư 2019
Một trong những nhược điểm chính đối với các nguồn năng lượng tái tạo như gió và mặt trời là chúng ta không thể lưu trữ hiệu quả nguồn năng lượng dư thừa. Khi gió thổi mạnh, sẽ có quá nhiều năng lượng được truyền tải vào hệ thống lưới điện nhưng chúng ta lại không thể lưu trữ được nguồn năng lượng dư thừa. Nhưng vào những ngày không có gió, chúng ta lại không thể tận dụng nguồn năng lượng dư thừa trước đó để sử dụng.
09 Tháng Tư 2019
Khoảng đầu tháng 04/2019, một bằng sáng chế mới mô tả một thứ được các kỹ sư Apple phát minh ra tên là "Nanopartical Protective Coatings" (lớp phủ bảo vệ hạt nano).
09 Tháng Tư 2019
Bầu trời phía bắc Na Uy xuất hiện những dấu vết khá kỳ lạ trong khoảng 30 phút, với hàng loạt vệt sáng màu tía, xanh dương và vàng xuất hiện trên bầu trời buổi đêm ngày 05/04/2019.
09 Tháng Tư 2019
Khoảng đầu tháng 04/2019, Samsung cho biết đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chipset dành cho smartphone 5G. Đây là những chipset tất cả trong một, bao gồm modem và bộ bắt sóng 5G hứa hẹn sẽ đẩy mạnh tốc độ triển khai của các smartphone 5G trong tương lai.