Trung tuần tháng 10/2016, Samsung chính thức tuyên bố đã đưa vào sản xuất hàng loạt dòng chip di động dựa trên quy trình FinFET 10nm.
Theo đó, Samsung đã bắt tay sản xuất hàng loạt những dòng chip di động dựa trên quy trình FinFET 10nm, có nghĩa là những con chip Exynos thế hệ tiếp theo, và cả đối thủ của nó nếu cũng sử dụng quy trình 10nm, sẽ được cải thiện đáng kể hiệu suất và khả năng tiết kiệm pin khi hoạt động.
Trong năm 2015, ngành công nghiệp sản xuất chip chứng kiến cột mốc quan trọng khi Intel tuyên bố phát hành thế hệ thứ 3 của dòng chip sản xuất dựa trên quy trình 14nm – phá vỡ như quy tắc của định luật Moore, dù chỉ mới là dòng chip dành cho máy tính để bàn PC.
Có thể Samsung sẽ là công ty đầu tiên sản xuất hàng loạt chip di động dựa trên quy trình 10nm, sử dụng công nghệ được gọi là “cấu trúc bóng bán dẫn 3D tiên tiến”. Nhiều nguồn tin cũng từng khẳng định dòng chip Exynos 8895 dự kiến Samsung sẽ trang bị cho Galaxy S8 được sản xuất theo quy trình 10nm. Samsung cho biết, thế hệ chip mới, với cùng kích thước, sẽ cho hiệu suất tốt hơn 30% so với chip 14nm hiện hành, và tiết kiệm tiêu hao năng lượng hơn 40%.
Được biết, không chỉ riêng Samsung, Qualcomm cũng có thể sẽ ra mắt dòng chip Snapdragon 830 trong năm 2017, cũng với quy trình 10nm. Nếu cả Samsung và Qualcomm cùng đưa vào sản xuất hàng loạt chip theo quy trình 10nm, hầu hết các sản phẩm smartphone flagship trong năm 2017 cũng sẽ trang bị những con chip mới.
Ngoài ra, Samsung cũng tiết lộ thế hệ chip 10nm thứ 2 với nhiều cải tiến hơn nữa về kiến trúc cũng sẽ được phát hành trong năm 2017.
Gửi ý kiến của bạn