Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16862)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
21 Tháng Mười 2019
Khoảng giữa tháng 10/2019, theo dữ liệu của hãng tin Reuters, Trung Quốc cho biết tổng sản phẩm trong nước (GDP) của họ trong Quý 3 tăng 6% so với cùng kỳ năm 2018, mức tăng thấp nhất trong vòng ít nhất 27.5 năm.
21 Tháng Mười 2019
Khoảng giữa tháng 10/2019, các nhà nghiên cứu của Thụy Sĩ đã đưa ra kết luận tiếng sáo êm dịu sẽ có khả năng giúp phát triển não bộ cho trẻ sinh non.
20 Tháng Mười 2019
Facebook đã thất bại trong một nỗ lực ngăn vụ kiện tập thể trị giá đến 35 tỷ USD liên quan đến cáo buộc vi phạm Đạo luật bảo mật thông tin sinh trắc học Illinois, cụ thể là lạm dụng dữ liệu nhận diện gương mặt người dùng.
20 Tháng Mười 2019
Thay vì trả lãi, các ngân hàng Thụy Sĩ sẽ bắt đầu tính phí đối với các khoản tiền gửi của khách hàng. Khoảng giữa tháng 10/2019, ngân hàng Credit Suisse cho biết sẽ áp dụng lãi suất âm (-0.75%) với các khoản tiền gửi từ 2 triệu Francs Thụy Sĩ (khoảng 2 triệu USD).
20 Tháng Mười 2019
Nhà quản lý quỹ đầu cơ hàng đầu thế giới Ray Dalio nói rằng chu kỳ kinh doanh toàn cầu hiện nay đang ở giai đoạn "lún sâu" và nền kinh tế thế giới đang có ít nhất hai điểm tương đồng với hồi thập niên 1930 - thời kỳ Đại Suy Thoái.
20 Tháng Mười 2019
Các nhà quảng cáo và marketing trên Internet đang có những động thái cứng rắn với Facebook khi gửi văn bản khiếu nại lên tòa án tại Mỹ, tố cáo Facebook cố tình khai khống lượt xem và thời lượng xem video clip trên tran mạng xã hội.