Nguyên Nhân Gây Cháy Nổ Trên Galaxy Note 7 Có Thể Là Do Thiết Kế Pin Bị Lỗi

05 Tháng Mười Hai 201610:00 CH(Xem: 22703)
Nguyên Nhân Gây Cháy Nổ Trên Galaxy Note 7 Có Thể Là Do Thiết Kế Pin Bị Lỗi
blank
Tháng 12/2016, sự cố cháy nổ trên Galaxy Note7 hiện vẫn đang được Samsung điều tra. Dù vậy, theo thông tin mới nhất từ trang Instrumental, nguyên nhân gây ra lỗi có thể là do thiết kế pin của thiết bị.

Theo Instrumental đã tìm hiểu, thỏi pin trên thiết bị di động được thiết kế với hai lớp polymer có chất điện phân được sử dụng để ngăn cách cực dương làm bằng Lithium Colbalt Oxide, và cực âm làm bằng Graphite. Khi hai cực tương tác với nhau, chất điện phân sẽ nóng lên và gây cháy nổ.

Nguồn tin cho biết, việc nén các thành phần của pin lại có thể khiến cực âm và cực dương va chạm với nhau. Samsung từng thừa nhận rằng có thể hãng đã quá nóng vội trong việc thiết kế. Để có thể làm được một chiếc điện thoại mỏng, thỏi pin cần được thiết kế với dung lượng nhiều nhất có thể, đồng thời phải giữ kích thước nhỏ.


Những thỏi pin thông thường đều phồng lên một chút trong ngưỡng cho phép do tác động đến mặt lưng điện thoại, như khi người dùng cất điện thoại trong túi quần sau và ngồi lên ghế. Tuy nhiên, Samsung đã thiết kế bộ phận pin trên Note7 quá hẹp để phòng tránh những trường hợp như vậy. Và trong trường hợp Samsung không thu hồi Galaxy Note7, theo thời gian thân máy sẽ bị tách rời ra.

Samsung đã phải đối mặt với những hậu quả rất lớn bởi Galaxy Note7. Thiệt hại mà hãng gánh chịu ước tính hơn 5 tỷ USD. Tuy nhiên, các thông tin hiện chỉ là nghiên cứu của Instrumental, kết quả cuối cùng sẽ được Samsung công bố cũng trong tháng 12/2016.
58Vote
40Vote
32Vote
22Vote
16Vote
3.118
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
02 Tháng Mười Hai 2015
Thượng tuần tháng 12/2015, trang Windows Central đưa tin, Microsoft hiện đã bắt đầu phát triển một chiếc điện thoại mới, người chịu trách nhiệm về sản phẩm là Panos Panay, phó chủ tịch mảng Surface.
01 Tháng Mười Hai 2015
Thượng tuần tháng 12/2015, LG đã công bố kế hoạch phát hành Zero trên toàn cầu. LG Zero là chiếc smartphone tầm trung, được hoàn thiện hoàn toàn bằng kim loại đầu tiên của hãng.
28 Tháng Mười Một 2015
Samsung được cho là đang phát triển chiếc Galaxy A9 – đã có nhiều thông tin rò rỉ về thông số kỹ thuật. Hạ tuần tháng 11/2015, trang Geekbench tiếp tục rò rỉ một số thông số chi tiết của Galaxy A9.
25 Tháng Mười Một 2015
Hạ tuần tháng 11/2015, Microsoft đã ra mắt hai mẫu điện thoại di động mới thuộc dòng phổ thông, bao gồm Nokia 230 và Nokia 230 Dual SIM.
23 Tháng Mười Một 2015
Tháng 11/2015, một số nguồn tin rò rỉ khẳng định bộ đôi Galaxy S7 và S7 Edge của Samsung sẽ sở hữu khe cắm thẻ microSD.
23 Tháng Mười Một 2015
Nhìn lại năm 2014, vi xử lý Exynos 7420 do Samsung sản xuất đã được đánh giá là một trong những vi xử lý tốt nhất bởi tốc độ và hiệu năng ổn định.